1、 射頻電路（RFIC）模塊的設(shè)計(jì)開發(fā)，包含并不限于以下電路： a、 Switch、LNA等射頻電路及模塊； b、 基于IPD工藝的Filter、Duplexer和封裝等電磁場仿真設(shè)計(jì)；
2、 負(fù)責(zé)射頻電路及模塊的測試驗(yàn)證及實(shí)驗(yàn)室調(diào)試；
3、 負(fù)責(zé)RF器件和電路版圖設(shè)計(jì)及后仿真和封裝仿真驗(yàn)證；
4、 負(fù)責(zé)射頻模塊的可靠性測試及分析；
5、 參與RF器件的建模及材料設(shè)計(jì)。
崗位要求
1、 具有扎實(shí)的集成電路設(shè)計(jì)理論基礎(chǔ)，熟悉IC設(shè)計(jì)流程；
2、 熟練使用ADS、HFSS、Cadence、等電磁和電路仿真設(shè)計(jì)工具；
3、 具有成功量產(chǎn)，或者成功流片經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先考慮；
4、 較強(qiáng)的版圖設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)和電路測試分析能力；
5、 突出的動(dòng)手和主動(dòng)學(xué)習(xí)能力，半導(dǎo)體物理、電路與系統(tǒng)、微電子、電磁場與微波技術(shù)等相關(guān)專業(yè)本科及以上學(xué)歷，一年及以上工作經(jīng)驗(yàn)；
6、 良好的溝通/團(tuán)隊(duì)協(xié)作能力；
7、 能夠使用常用測試儀器進(jìn)行電路的測試；
8、 英語聽說讀寫良好, CET-6及以上；
9、 掌握RFCMOS、RFSOI及GaAs HBT/pHEMT的設(shè)計(jì)及調(diào)試方法，熟悉半導(dǎo)體器件、材料及工藝。